SJ 50033.122-1997 半导体分立器件CS3684～CS3687型硅N沟道结型场效应晶体管详细规范
|
ID： |
F7F3BF7EDE734323B31492ABC1ABC825 |
|
文件大小(MB)： |
0.55 |
|
页数： |
12 |
|
文件格式： |
|
|
日期： |
2024-7-28 |
|
购买： |
文本摘录（文本识别可能有误，但文件阅览显示及打印正常，pdf文件可进行文字搜索定位）：
中华人民共和国电子行业军用标准,FL5961 SJ 50033/122-97,半导体分立器件,CS3684.CS3687 型,硅N沟道结型场效应晶体管,详细规范,Semiconductor discrete devices,Detail specification for type CS3684.CS3687,silicon N-channel junction mode field-effect transistors,1997* フ发布1997-10-01 实施,中华人民共和国电子工业部批准,www. bzfxw. com 下载,中华人民共和国电子行业军用标准,半导体分立器件,CS3684.CS3687 型,硅N沟道结型场效应晶体管 W5。期ル2-97,详细规范,Semiconductor discrete devices,Detail specification for type CS3684~CS3687,silicon N-channel junction mode field-effect transistors,1范围,1.I 主题内容,本规范规定了 CS3684-CS368?型硅N沟道结型场效应晶体管（以下简称器件）的详细要,求,1.2 适用范围,本规范适用于器件的研制、生产和采购,1.3 分类,本规范根据器件质量保证等级进行分类,1.3.1 器件的等级,按照GJB 33- 85〈半导体分立器件总规范》L 3条的规定,提供的质量保证等级为普军、特,军和超特军三级,分别用字母GP、GT和GCT表示,2引用文件,GB 4586—94 场效应晶体管测试方法,GB 7581-87 半导体分立器件外形尺寸,GJB 33-85 半导体分立器件总规范,GJB 128-86 半导体分立器件试验方法,3要求,3.1 详细要求,各项要求应按GJB 33和本规范的规定,3.2 设计、结构和外形尺寸,设计、结构和外形尺寸应按GJB 33和本规范的规定,中华人民共和国电子工业部!997-06-17发布1997-10-01 实施,SJ 50033/122-97,3.2 .］引出端材料和镀涂层,引出端材料应为可伐。引出端表面镀涂层应为镀金、镀锡或浸锡。对引出端涂层要求选,择或另有要求时,在合同或订货单中应明确规定（见6.3）,3.2.2 器件结构,采用硅N沟道耗尽型结型结构,3.2.3 外形尺寸,外形尺寸按GB 7581中的A4-01B型及如下规定,见图1,佟,伊.咆［X回,3-D（栅极）4-C（管壳）,B4—O1B,min nom max,A 4.32 5.33,如2.54,1.01,跖2 0.407 0.508,ゆ5.31 5.84,初1 4.53 4.95,j 0.92 1.04 1.15,K 0.51 1.21,L 12.5 25.0,レ1.27,引出端极性:1-S（源极）2-D（漏极）,0.35 ( M,图1外形尺寸图,3.3 最大额定值和主要电特性,3.3.I 最大额定值,Ptotl)(Ta : 25 匕),mW,Vdc,V,vcs,V,Igf,mA,Ti,C,Tjrtg,t,350 50 -50 50 200 -55 .200,注:1）Ta>25匕时,按2mW/K的速率线性降额,3.3.2 主要电特性（丁ん=25じ）,2,www. bzfxw. com 下载,SJ 50033/122-97,爹数,型 号,极限值,符 号测试条件最小值最大值,Idss mA Vps = 20 V CS3684 2.5 7.5,Vgs = 0 CS3685 1 3,CS3686 0.4 1.2,CS3687 0.1 0.5,Vgs（播）V 520 V CS3684 -2 -5,/D=lnA CS3685 -1 - 3.5,CS3686 - 0.6 -2,CS3687 -0.3 -1.2,v?バ1网Vds=10V CS3684 — 0.15,Vgs = 0 CS3685 一0.15,/=20Hz CS3686 一0.15,CS3687 一0.15,F dB Vds=10V CS3684 — 0.5,Vgs = 0 CS3685 一0.5,Pg=10Mfl CS3686 一0.5,BW = 6Hz CS3687 一0.5,f= 100Hz,1 Y21sl mS Vds=IOV CS3684 2 3,Vgs = 0 CS3685 1.5 2.5,f= 1kHz CS3686 1 2,CS3687 0.5 1.5,3.4 电测试要求,电测试应符合GB 4586及本规范的规定,3.5 标志,标志应符合GJB 33的规定,4质量保证规定,4.!抽样和检验,抽样和检验符合GJB 33和本规范的规定,4.2 鉴定检验,鉴定检验符合GJB 33的规定,4.3 筛选（仅对GT和GCT级）,筛选应按GJB 33表2和本规范的规定。其测试应按本规范表1的规定进行,超过本规范,表1极限值的器件应予剔除,3,SJ 50033/122-97,筛 选,(GJB 33 表 2),试验方法,方法号,GJB 128,条 件,GCT,要求,GT,要求,内部目检（封帽前） 2072 100% 100%,2高温寿命（じTPD） 1032 Tstg = 200t,t^24h 100% 100%,3热冲击,（温度循环）,1051 除低温应为ー551,循环20次,，（极限值）〉,lOmin外,其余同试验条件C。25匕时不要求有,规则的停顿,100% 100%,4恒定加速度2006 Yi方向至少196000m/s2（20000g）不采用1分钟,保……
……